防爆攝像機的具有作用是：進行煤礦災害事故勘查取證，井下和IIC危險環境下攝錄生產安全情況、機電設備運行狀態、頂底板支護情況和地質特征等，提供高分辨率的數碼攝像和圖片。也可以用于危險場所題材拍攝，在企業宣傳部門都有廣泛的應用。那么選用防爆攝像機芯片的一般要素有哪些？目前防爆攝像機燈主要有三種制作方式：一：鹵素燈，二：多芯片LED，三：單芯片LED。就這三個制作方式，為大家簡單介紹一下他們的原理及不同。
1、鹵素燈能耗高，發熱量大，是傳統市場上應用的紅外燈，應用壽命較短，所以很難適宜防爆攝像機配套應用。
2、多芯片LED也有兩種QING勢，一種是蘊含4到8顆芯片；另外一種是陣列式發光片，含有10到30顆芯片。為什么做多芯片呢？潛在的實際是：紅外燈照射間隔不夠是因為能量不夠，更多的芯片聚攏在一起，當然能量就大，這樣的話通常照射間隔更遠。這個假如能保障紅外燈的光芒的接收率，是對的，但是在接收率不能保障的前提下，再多的紅外燈芯片只會造成運行溫渡過高而影響壽命，并不能真正改良紅外燈照射的間隔。
總體來說，多芯片的紅外攝像機在性能方面還是一個普通的鹵素燈，但是多芯片LED因其結構上的固有缺陷沒有發光焦點，發光光學系統不合理，有用光效率也對照低。比方陣列式LED，電流高達1000mA以上，根底只是一分錢硬幣大小，散熱就成為一個問題。而咱們做技術的都知道，LED最怕的就是高熱啊，熱度一高不壞都難呀。同時，多芯片LED的生產要求非常嚴厲，每顆芯片都不能有性能上的一點差別，否則一顆芯片壞掉的話傷害的是整體芯片LED的整體。總體而言，應用在防爆紅外攝像機上面，現有的多芯片技術LED的壽命是遠遠不夠。
3、單芯片LED生產工藝簡略，品質容易保障、發熱量低、發光光學系統合理，是做防爆紅外攝像機紅外燈理想的器件，實際上應用壽命可達10萬小時以上。所以自然在技術上就偏向單芯片了。但是單芯片的紅外燈還是有很多制約的因素，比如說有的LED芯片級別很低，雜質超標；有的生產工藝不過關，有漏電現象；有的超功率應用，額定20mA，卻應用50mA以上；有的沒有維護電路，或電路設計不合理，這些都會導致單芯片LED紅外燈快速壞掉。
